如何判别电路中晶体管的工作状态?

在cup 硅班上涂上一种仿腐蚀材料 是用 大的模版，利用凸面镜的投影，光刻在上边 被光照到的地方，防腐材料实效 然后再经过腐蚀，线路图就出来了 好像是这样， 这个问题我答对了。给我分

一)控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合——达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。 、 (二)直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关 如图l所示，功率开关由三只晶体管复合而成，具有在700V的电压下开关200A电流的能力。在这个大功率达林顿开关中，两只50A、700V的晶体管并联并被第三只同样的晶体管驱动。 如果需要开关更大的负载电流，可使用更多的晶体管并联。图2示出了一个400A，700V大功率开关，共使用了六只功率晶体管。 晶体管复

用万用表的欧姆档,分别测量发射结和集电结的反向电阻,若很大则为好,否则为坏;再测量发射极与集电极之间的正向穿透电流,越小越好,若很大则晶体管性能很差。

实际上和继电器差不多，继电器输出的是一个干接点，晶体管输出的是一个电压，一般是24v的，分为外供电和内供电，内供电的话直接在外部接负载就行，比如一个DC24V的指示灯或者继电器,外供电的话需要使用外部电源在进行带负载，其实也就是一个有缘的节点

光刻蚀 这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。 当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。 掺杂 在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后

现场指导还差不多。一,首先集电极功耗限制电阻阻值选小些;二,基极触电流加大些;三,簇极数选10级…