晶体管选购指南

在cup 硅班上涂上一种仿腐蚀材料 是用 大的模版，利用凸面镜的投影，光刻在上边 被光照到的地方，防腐材料实效 然后再经过腐蚀，线路图就出来了 好像是这样， 这个问题我答对了。给我分 [查看全文]

一)控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合——达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱... [查看全文]

用万用表的欧姆档,分别测量发射结和集电结的反向电阻,若很大则为好,否则为坏;再测量发射极与集电极之间的正向穿透电流,越小越好,若很大则晶体管性能很差。 [查看全文]

实际上和继电器差不多，继电器输出的是一个干接点，晶体管输出的是一个电压，一般是24v的，分为外供电和内供电，内供电的话直接在外部接负载就行，比如一个DC24V的指示灯或者继电器,外供电的话需要使用外部电源在进行带负载，其实也就是一个有缘的节点 [查看全文]

光刻蚀 这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的... [查看全文]

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况。以下以NPN硅管为例，PNP管正好相反。 （1）截止，UbeUbe，Ubc0.7V，Uce [查看全文]

现场指导还差不多。一,首先集电极功耗限制电阻阻值选小些;二,基极触电流加大些;三,簇极数选10级… [查看全文]

很低0.27元开通文库会员，查看完整内容> 原发布者:蓝枫眼泪521521 【题目】在如图所示电路中，,，，。当输入电压U1分别为3V，1V和-1V时，试问晶体管处于何种工作状态？【相关知识】晶体管的输入和输出特性以及三种工作状态的判断。【解题方法】应用晶体管三种工作状态的条件和特点加以判别。【解题过程】由电路图可知，晶体管饱和时集电极电流近似为晶体管刚饱和时的基极电流为（1）当时显然，晶体管处于深度饱和状态。（2）当时所以，晶体管处于放大状态。（3）当时，由于晶体管的基极和发射极之间加上了反向电压，则晶体管可靠截止。【... [查看全文]